[发明专利]基于转速调制的提高薄膜厚度均匀性的方法无效
| 申请号： | 200310110845.8 | 申请日： | 2003-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1614077A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李言荣;陶伯万;陈家俊;刘兴钊;张鹰;邓新武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了基于转速调制的提高薄膜厚度均匀性的方法：将基片旋转圆周分为N个区域，使基片以不同的旋转速度通过N个区域，基片的旋转速度由基片所在区域的沉积速率决定。将此方法用于双轴旋转薄膜沉积中，对每周内转轴的转速进行调制，在几乎不降低薄膜沉积速率的情况下，可以进一步提高薄膜的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 转速 调制 提高 薄膜 厚度 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于转速调制的提高薄膜厚度均匀性的方法，其特征是采用下面的步骤：第一步：根据成膜方法制备大面积薄膜膜厚分布的特点，确定基片处于不同位置时薄膜沉积速率分布规律；所述的成膜方法可以是蒸发、溅射、脉冲激光沉积等；所述的基片处于不同位置我们是指把基片面外旋转的圆周划分为N(N为自然数，N＞1)个区域中的不同区域；第二步：根据第一步中给出的基片在不同位置(区域)的沉积速率的分布规律，我们可以确定基片在不同位置(区域)通过的时间，确定基片在不同位置(区域)通过的时间的依据是：基片旋转到沉积速率大的位置(区域)时的旋转速度快，基片旋转到沉积速率小的位置(区域)时的旋转速度慢，基片旋转速度可以为零；这样就可以保证基片的沉膜均匀性；第三步：根据第二步中得出的基片在各个位置(区域)通过的时间，确定基片在不同位置(区域)时的旋转角速度。通过上述的调速方法，基片不断重复这种具有速度变化的旋转周期，最终在基片表面淀积膜厚均匀的薄膜。
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