[发明专利]低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计无效
| 申请号： | 200310110889.0 | 申请日： | 2003-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1617313A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 石瑞英;龚敏 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计，其中包括：砷化镓衬底；该衬底上生长一层重掺杂的N型砷化镓子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型砷化镓收集区；该收集区上为重掺杂的P型铟镓砷锑基区；该基区上为铟镓磷发射区；最上面一层为作欧姆接触用的帽层。 | ||
| 搜索关键词： | 开启 电压 砷化镓基新 结构 异质结 双极晶体管 结构设计 | ||
【主权项】：
1、一种低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计，其特征在于，器件的结构包括：---半绝缘砷化镓衬底；---N+掺杂的砷化镓子收集区，该N+掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上；---该子收集区上是轻掺杂的N型砷化镓收集区；---该收集区上为重掺杂的P型铟镓砷锑基区；---该基区上为铟镓磷发射区；---最上面一层为作欧姆接触用的帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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