[发明专利]用等离子体技术制备透明低阻/高阻复合膜无效
| 申请号： | 200310111023.1 | 申请日： | 2003-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1544685A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 冯良桓;雷智;张静全;林锡钢 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 用等离子体技术制备透明低阻/高阻复合膜本项发明所属领域为，新型光电子材料。用低温等离子技术制备透明低电阻/高电阻复合薄膜，属于真空物理和半导体技术相结合的新工艺。本发明主要针对制备太阳能电池的透明电极时，需反复沉积透明导电膜和透明高阻膜。用氧等离子对透明导电薄膜进行轰击，一次性将透明导电薄膜处理成透明低阻/高阻复合膜，而无需再沉积一层透明高阻膜。该发明减化了生产工艺，大幅降低产品成本。本发明还可用于液晶显示器和塑料显示器的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 技术 制备 透明 复合 | ||
【主权项】：
1.一个使用低温等离子技术制备透明低阻/高阻复合膜的方法。其特征是，在透明低电阻膜的基础上，用氧等离子进行轰击，对透明低阻膜内的氧缺位进行补偿，从而形成低阻/高阻复合膜。
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