[发明专利]一种微型二氧化钒光开关及其制备方法无效
| 申请号： | 200310111202.5 | 申请日： | 2003-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1529451A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈四海;易新建;王宏臣;黄光;熊韬;陈明祥;李雄伟;柯才军 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H04J14/02 | 分类号： | H04J14/02;H04B10/02;H04Q3/52;G02B6/26 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微型二氧化钒光开关，包括衬底、VO2层和电极，衬底和VO2层之间设有Si3N4材料制成的过渡层，在VO2层上设有金属加热线。制备方法包括：(1)清洗衬底表面；(2)镀制薄膜：采用溅射淀积设备先镀过渡层Si3N4，再开始长VO2膜；(3)退火处理；(4)利用悬浮工艺制作金属加热线和电极：先作出光刻胶光开关微图形，再在基片上镀金属薄膜，最后去除光刻胶上的薄膜层。本发明无移动部件，膜系本身就是加热器，不必另装加热设备，结构简单、工作可靠，便于大规模集成，低成本、低功耗，同时，由于该光开关可以采用标准半导体制造工艺制作，而且具有开关时间短，对偏振不灵敏，消光比高，插入损耗小的特点，是一种全新的开关器件，可以在光通讯和光传感领域中得到很大的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 氧化 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微型二氧化钒光开关，包括衬底、VO2层和电极，其特征在于：衬底和VO2层之间设有Si3N4材料制成的过渡层，在VO2层上设有金属加热线4。
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