[发明专利]施氏假单胞菌ZWLR2-1及其制法和应用无效
申请号: | 200310111556.X | 申请日: | 2003-12-11 |
公开(公告)号: | CN1546647A | 公开(公告)日: | 2004-11-17 |
发明(设计)人: | 刘虹;周宁一;王淑君 | 申请(专利权)人: | 中国科学院武汉病毒研究所 |
主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C12P1/04;C12S13/00;//;C12R1:38) |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 王守仁 |
地址: | 430071湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明是一种施氏假单胞菌ZWLR2-1及其制法和应用。该菌的制备包括配制无机盐培养基、菌种富集、分离等步骤,其中,无机盐培养基含有Na2HPO4·12H2O、KH2PO4、MnSO4·H2O、FeSO4·7H2O等成分。菌种的富集:将取样土样配制成20%悬浮液,以10%的接种量接种到无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养七天,取1%菌液接入同样培养基中,继续摇床培养;如此反复,直到获得有显著降解性能的富集培养物。分离:利用平板培养技术,将培养物在LB培养基中分离和纯化,然后逐个接种到无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养,筛选即可。本发明可用于1C2NB的降解,降解率达99%。 | ||
搜索关键词: | 施氏假单胞菌 zwlr2 及其 制法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种施氏假单胞菌ZWLR2-1的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a.配制无机盐培养基:成分为Na2HPO4·12H2O14.3g,KH2PO43.0g,MnSO4·H2O0.28mg,FeSO4·7H2O0.3mg,MgSO40.06mg,CaCL21mg,CuSO40.05mg和ZnSO40.05mg,将上述成分以双蒸水定容至1000ml,调pH7.0,高压灭菌,b.菌种的富集:从化工厂土壤中取样,将土样配制成20%悬浮液,以10%的接种量接种到含1-氯-2-硝基苯(0.5mM)的无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养七天,取1%菌液接入同样培养基中,继续摇床培养,如此反复多次,直到获得有显著降解性能的富集培养物,c.分离:在获得有显著降解性能的富集培养物后,利用平板培养技术,将培养物在LB培养基中分离和纯化,然后将分离纯化的菌种逐个接种到含1-氯-2-硝基苯(0.5mM)的无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养,通过检测培养基中1-氯-2-硝基苯的降低以及亚硝酸根离子的产生,筛选1-氯-2-硝基苯降解菌。
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