[发明专利]施氏假单胞菌ZWLR2-1及其制法和应用无效

专利信息
申请号: 200310111556.X 申请日: 2003-12-11
公开(公告)号: CN1546647A 公开(公告)日: 2004-11-17
发明(设计)人: 刘虹;周宁一;王淑君 申请(专利权)人: 中国科学院武汉病毒研究所
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C12P1/04;C12S13/00;//;C12R1:38)
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 王守仁
地址: 430071湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明是一种施氏假单胞菌ZWLR2-1及其制法和应用。该菌的制备包括配制无机盐培养基、菌种富集、分离等步骤,其中,无机盐培养基含有Na2HPO4·12H2O、KH2PO4、MnSO4·H2O、FeSO4·7H2O等成分。菌种的富集:将取样土样配制成20%悬浮液,以10%的接种量接种到无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养七天,取1%菌液接入同样培养基中,继续摇床培养;如此反复,直到获得有显著降解性能的富集培养物。分离:利用平板培养技术,将培养物在LB培养基中分离和纯化,然后逐个接种到无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养,筛选即可。本发明可用于1C2NB的降解,降解率达99%。
搜索关键词: 施氏假单胞菌 zwlr2 及其 制法 应用
【主权项】:
1.一种施氏假单胞菌ZWLR2-1的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a.配制无机盐培养基:成分为Na2HPO4·12H2O14.3g,KH2PO43.0g,MnSO4·H2O0.28mg,FeSO4·7H2O0.3mg,MgSO40.06mg,CaCL21mg,CuSO40.05mg和ZnSO40.05mg,将上述成分以双蒸水定容至1000ml,调pH7.0,高压灭菌,b.菌种的富集:从化工厂土壤中取样,将土样配制成20%悬浮液,以10%的接种量接种到含1-氯-2-硝基苯(0.5mM)的无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养七天,取1%菌液接入同样培养基中,继续摇床培养,如此反复多次,直到获得有显著降解性能的富集培养物,c.分离:在获得有显著降解性能的富集培养物后,利用平板培养技术,将培养物在LB培养基中分离和纯化,然后将分离纯化的菌种逐个接种到含1-氯-2-硝基苯(0.5mM)的无机盐培养基中,恒温30℃,摇床培养,通过检测培养基中1-氯-2-硝基苯的降低以及亚硝酸根离子的产生,筛选1-氯-2-硝基苯降解菌。
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