[发明专利]一种制备铁电薄膜/厚膜的方法无效
申请号: | 200310111568.2 | 申请日: | 2003-12-12 |
公开(公告)号: | CN1546724A | 公开(公告)日: | 2004-11-17 |
发明(设计)人: | 张五星;王长安;周雪梅;赵伯芳;尹盛 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C18/00 | 分类号: | C23C18/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备铁电薄膜/厚膜的方法,该方法包括:在衬底上刻出凹槽阵列;配制粉末溶胶,即把铁电微粉与相应的铁电材料溶胶混合,得到粉末溶胶;将配制好的粉末溶胶涂于衬底上,用流延法制备薄膜/厚膜,流延设备中的刀片与有凹槽一面的衬底紧贴,在流延之后,衬底上有凹槽的地方填有粉末溶胶;将上述得到的薄膜/厚膜进行热处理;去掉非凹槽部分的铁电膜,即得到铁电薄膜/厚膜。使用该方法能够得到单元厚度均匀、致密的,而且阵列单元的膜厚和形状不同的铁电薄膜/厚膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备铁电薄膜/厚膜的方法,其特征在于:该方法包括,(1)在衬底上刻出凹槽阵列;(2)将铁电微粉与相应的浓度为0.3~1.2(mol/L)铁电溶胶混合,重量比为(0.8~2)∶1,得到粉末溶胶,粉末粒度为0.5~2μm;(3)将配制好的粉末溶胶涂于衬底上,用流延法制备薄膜/厚膜,流延设备中的刀片与有凹槽一面的衬底紧贴,在流延之后,衬底上有凹槽的地方填有粉末溶胶;(4)将上述得到的薄膜/厚膜进行热处理;(5)去掉非凹槽部分的铁电膜,即得到铁电薄膜/厚膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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