[发明专利]金属－绝缘层－碳化硅MISiC高温气体传感器

摘要

金属－绝缘层－碳化硅MISiC高温气体传感器，属电子器件领域，涉及一种高温气体传感器，旨在解决绝缘层及其界面质量问题，从而提高MISiC气体传感器的高温可靠性，使其符合高温下长期稳定工作之要求。本发明在碳化硅(SiC)基片上一面生长一层SiO_xN_y绝缘层，其上制备Ta_kSi_lO_mN_n缓冲层，缓冲层上制备栅电极，SiC基片另一面制备硅钽缓冲层，其外制备背电极，其中X＝0.6～0.8、Y＝0.2～0.4、K＝0.65～0.85、L＝0.1～0.15、M＝0.02～0.15、N＝0.02～0.15。本发明高温可靠性好，灵敏度高，响应快，制备工艺简单，一致性好，易于批量生产。

主权项

1.一种金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器，在碳化硅(SiC)基片上一面生长一层绝缘层，其上制备缓冲层，缓冲层上制备栅电极，SiC基片另一面制备硅钽缓冲层，硅钽缓冲层外制备背电极，其特征在于所述绝缘层为SiOxNy，所述缓冲层为TakSilOmNn；其中X＝0.6~0.8、Y＝0.2~0.4、K＝0.65~0.85、L＝0.1~0.15、M＝0.02~0.15、N＝0.02~0.15。