[发明专利]一种碳纳米管的制备方法有效
| 申请号： | 200310112335.4 | 申请日： | 2003-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1618733A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 翁维襄 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C23C16/00;C23C16/26;B01J23/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管的制备方法，其包括：提供一平滑基底；将磁性催化剂沉积于所述基底表面；于所述基底的上方一定距离处设置磁性元件；通入碳源气进行反应，碳纳米管从所述基底上长出。本发明于生长碳纳米管的基底的上方一定距离处设置磁性元件，所述磁性元件在碳纳米管的生长过程中所产生的磁场会引导碳纳米管沿垂直于所述基底的方向生长，从而获得笔直碳纳米管，确保碳纳米管作为分子型金属导线应用时优良的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：提供一平滑基底；将磁性催化剂沉积于所述基底表面；于所述基底的上方一定距离处设置磁性元件；通入碳源气进行反应，碳纳米管从所述基底上长出。
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