[发明专利]掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法无效
| 申请号： | 200310112601.3 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1547222A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 张凤鸣;都有为 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/02;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 210093江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰在硅中的含量为1－10％摩尔比的薄膜材料。其厚度为1－10,000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：在硅薄膜材料真空锰溅射的方法，制成含锰量为1－10％的厚度为1－10微米的硅薄膜，然后以温度为900－1400℃的范围内且在保护性气氛条件下将硅材料的结晶化，时间为20min－2小时，得到具有半导体性能要求的硅材料。掺锰硅材料表现出了铁磁性且具有高于400K的铁磁转变温度；同时，其电传输特性也呈半导体特性。 | ||
| 搜索关键词： | 掺锰硅基 磁性 半导体 薄膜 材料 制法 | ||
【主权项】：
1、掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，其特征是锰在硅中的含量为1-10％摩尔比的薄膜材料。
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