[发明专利]高阻隔真空镀铝薄膜的生产工艺有效
| 申请号： | 200310112661.5 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1552942A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 章卫东;陈旭;潘军 | 申请（专利权）人： | 黄山永新股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/20 |
| 代理公司： | 芜湖安汇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐晖 |
| 地址： | 245000安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种高阻隔真空镀铝薄膜的生产工艺，其特征在于：真空环境中将等离子溅射到薄膜的表面后，再对薄膜进行真空蒸镀。其阻隔性较同样工艺条件下不经过等离子体表面处理生产的真空镀铝膜提高了3～5倍。具有效果显著，成本低，无污染的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 阻隔 真空 镀铝 薄膜 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、高阻隔真空镀铝薄膜的生产工艺，其特征在于：在真空环境中先用等离子体溅射到薄膜基材的表面后，再对薄膜进行真空蒸镀。
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