[发明专利]过冷原子团族控制晶化的纳米合金合成方法无效
| 申请号： | 200310112719.6 | 申请日： | 2003-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1554788A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 孟祥康;颜庆云;王凯良;孟大润;华文宇;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C22C1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 过冷原子团族控制晶化的Ni/Al纳米合金的合成方法，其特征是以真空直流磁控共溅射方法用Ni/Al复合靶制备Ni和Al的Ni/Al薄膜，共溅射沉积过程是在氩气保护下沉积在异质高分子材料的基片上溅射30－150秒，然后在300－400℃下退火10－60分钟。用Ni/Al复合靶制备化学成分为75％的Ni和25％的Al的Ni/Al薄膜，将高纯的Ni和Al片切成10度的扇形片，然后粘贴在一起形成一个圆片，以此作为复合靶，用比例为23Ni∶13Al的复合靶可以制得成分正好为3Ni∶1Al的沉积膜。 | ||
| 搜索关键词： | 过冷 原子团 控制 纳米 合金 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、过冷原子团族控制晶化的Ni/Al纳米合金的合成方法，其特征是以真空直流磁控共溅射方法用Ni/Al复合靶制备Ni和Al的Ni/Al薄膜，共溅射沉积过程是在氩气保护下沉积在异质高分子材料的基片上溅射30-150秒，然后在300-400℃下退火10-60分钟。
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