[发明专利]防充电的模板掩膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200310113083.7 | 申请日： | 2003-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1512545A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 柴田武;须黑恭一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/16;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在模板掩膜中，导电薄膜具有第一开口。在所述导电薄膜的除第一开口之外区域内形成绝缘膜。在所述绝缘膜上形成导电支座。第二开口穿过导电支座和绝缘膜，到达导电薄膜表面。在所述第二开口内形成导电元件。所述导电元件将导电支座和导电薄膜电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 充电 模板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种模板掩膜，包括：其上带有开口的导电薄膜；在不包括开口的导电薄膜区域内形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的导电支座；穿过所述绝缘膜而形成的、使所述导电支座和所述导电薄膜电连接的导电元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
