[发明专利]光刻用掩模护层及其制作方法有效
| 申请号： | 200310113209.0 | 申请日： | 2003-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1499288A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 永田爱彦 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;B05C9/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;王刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种较大尺寸的光刻用掩模护层及其制作方法，相较于习知的旋转涂布法，可以更简单且确实地制作既价廉又大型的掩模护层，其具有膜厚不均现象较少、光线透过率均匀且较高的优点。本发明的光刻用掩模护层，至少具有：a)掩模护层膜，阻挡异物用；b)掩模护层框，粘贴该掩模护层膜；c)粘接剂层，为了粘贴掩模护层膜而设置于掩模护层框的一边端面；d)粘附层，设置于掩模护层框的另一边端面；其特征为：该掩模护层膜是利用金属模涂布机而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 用掩模护层 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻用掩模护层，至少具有：a)掩模护层膜，阻挡异物用；b)掩模护层框，粘贴该掩模护层膜；c)粘接剂层，为了粘贴掩模护层膜而设置于掩模护层框的一边端面；a)粘附层，设置于掩模护层框的另一边端面；其特征在于：该掩模护层膜是利用金属模涂布机形成的。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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