[发明专利]磁随机存取存储器无效
| 申请号： | 200310113535.1 | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1617257A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 彭子龙;王伟宁;韩秀峰;朱涛;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京连城创新专利代理有限公司 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布置在同一个金属布线层中。这种结构的优点在于，一方面减少了金属布线层以及接触孔的数目，降低了工艺难度和制造成本，另一方面也可以提高MRAM的整体集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器，包括：a)由晶体管ATR(4)单元构成的存储器读写控制单元阵列，该读写控制单元阵列集成在半导体衬底中；b)由磁性薄膜存储单元(2)构成的存储单元阵列；c)接触孔，所述磁性薄膜存储单元(2)经由接触孔和所述晶体管ATR(4)单元相连接；d)写字线WWL(3b)和位线BL(3a)，其特征在于：所述写字线WWL(3b)和所述位线BL(3a)布置在所述磁性薄膜存储单元(2)的同侧，并且所述写字线WWL(3b)与所述磁性薄膜存储单元(2)直接相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310113535.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
