[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供既是适合于在半导体衬底上的多层布线上形成的高电容·高密度MIM电容器，又是呈现出适合于向AD转换器等的模拟电路的应用的对施加电压的良好的线性度的电容器。MIM电容器由2个实质上说上部电极面积124、125相等的一对元件(第1元件和第2元件)构成，具有一方的电容器的下部电极127或126，和另一方的电容器上部电极124或125彼此用布线129(连接124和127)或129’(连接125和126)电连起来的结构。将实现对电压的线性度极其优良的电容器。即便是使用易于产生在电极界面处的反应的高介电常数材料或难于在大面积衬底上形成均一的界面那样的成膜方法，也可以确保对所加电压的良好的线性度。

主权项

1.一种半导体器件，具备：已形成了半导体元件的半导体衬底；在上述半导体衬底上每一者都通过层间绝缘膜多层叠层的多层金属布线层；在上述多层金属布线层上通过层间绝缘膜地形成的由上部金属电极、电介质膜和下部金属电极构成的电容器；在被形成为把上述电容器被覆起来的绝缘膜上设置上层的布线层，其特征在于：上述电容器由第1和第2元件构成，这些第1和第2元件，分别由叠层起来的下部金属电极、电介质膜和上部金属电极构成，各自上部金属电极实质上是同一大小形状，而且，各自上部金属电极在已分别形成配置有上述下部金属电极和上述电介质膜的区域内形成，上述第1元件的下部金属电极和上述第2元件上部金属电极电连起来，上述第1元件上部金属电极和上述第2元件的下部金属电极电连起来。