[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200310113827.5 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1505114A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 久保田正文;林重德 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/283;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。其目的是将由金属氧化物构成的高电介质膜应用于栅绝缘膜或者电容绝缘膜中。在半导体衬底(11)的元件形成区域上，形成由氧化硅构成的底层绝缘膜(13)、由氧化铪构成的栅绝缘膜(14)、由多晶硅构成的栅电极(15)及由氧化硅构成的侧壁(18)，在半导体衬底(11)中的元件形成区域的上部上分别由注入形成源－漏区(17)及扩展区(16)。然后，调整半导体衬底(11)的扫描速度、激光的脉冲间隔及峰值功率，进行0.1秒钟的激光照射，使得仅在半导体衬底(11)的表面附近的温度为1150℃～1250℃那样，进行对栅绝缘膜(14)的热处理及对源－漏区(17)的热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：具备：在衬底上形成由高电介质构成的绝缘膜的第1工序；以及在形成了所述绝缘膜的衬底上，照射光的第2工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
