[发明专利]多层膜的干湿结合蚀刻方法无效
| 申请号： | 200310113893.2 | 申请日： | 2003-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1617229A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 高晓光;李建平;何秀丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及多层膜的蚀刻方法，特别是各向异性磁电阻效应(AMR)传感器制造中所使用的多层膜的蚀刻方法。一种多层膜的干湿结合蚀刻方法，包括：干法刻蚀各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜的保护层；湿法腐蚀各向异性磁电阻效应薄膜的坡莫合金层；干法刻蚀各向异性磁电阻效应薄膜的过渡层。各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜为钽(Ta)/坡莫合金(NiFe)/钽(Ta)组成的多层膜。本发明与传统的方法相比，缩短了刻蚀的时间，提高了刻蚀工艺的效率，电阻条边缘整齐，图形质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 干湿 结合 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层膜的干湿结合蚀刻方法，其特征在于，包括：干法刻蚀各向异性磁电阻效应薄膜的保护层；湿法腐蚀各向异性磁电阻效应薄膜的坡莫合金层；干法刻蚀各向异性磁电阻效应薄膜的过渡层。
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