[发明专利]由一种硅基合金制造一种溅射靶的方法、溅射靶及其应用无效

专利信息
申请号: 200310114196.9 申请日: 2003-11-05
公开(公告)号: CN1500907A 公开(公告)日: 2004-06-02
发明(设计)人: M·魏格特;J·海因德尔;U·康尼茨卡 申请(专利权)人: W.C.贺利氏股份有限及两合公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 潘培坤;曾建成
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及制造溅射靶的方法,所述溅射靶由一种含有重量百分比(wt.%)为5-50%的铝的硅合金制成,本发明还涉及这种溅射靶及其应用。为了提供以尽可能以有利的成本制造一种管状的溅射靶的方法和一种溅射靶,这种方法的特征在于,采用了浇铸技术,通过在真空中熔化和浇铸来制造靶材料,其中该浇铸在一个筒状的铸模中进行。
搜索关键词: 一种 合金 制造 溅射 方法 及其 应用
【主权项】:
1.制造一种溅射靶的方法,所述溅射靶由一种含有重量百分比为5-50%的铝的硅基合金构成,其特征在于,所述靶的材料利用浇铸技术通过在真空中熔化和浇铸制成,所述浇铸在一个中空筒状铸模中进行。
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