[发明专利]电磁耦合特性调整方法、供电装置和非接触型供电系统无效
| 申请号： | 200310114314.6 | 申请日： | 2003-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1501566A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 重政晴彦;中尾佳宽 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H02J17/00 | 分类号： | H02J17/00;G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 电磁耦合特性调整方法是在通过电磁耦合在读写装置上设置的供电用天线线圈和在IC卡上设置的接收用天线线圈将功率以非接触方式从读写装置供给IC卡的非接触型通信系统中，调整读写装置和IC卡之间的电磁耦合特性的方法。供电装置还包括串联连接和并联连接于供电用天线线圈的调整用阻抗元件。决定调整用阻抗元件的阻抗，使得从供电用天线线圈到接收用天线线圈的通信距离为大于0的规定值时，半导体器件接受的接收功率最大。由此，可提供用简单结构就能够减轻由于接收功率的功率差引起的发热的非接触型通信系统。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 耦合 特性 调整 方法 供电 装置 接触 供电系统 | ||
【主权项】：
1.一种非接触型供电系统的电磁耦合特性调整方法，在该系统中，通过电磁耦合在供电装置(1)上设置的供电用天线线圈(14)和在半导体器件(2)上设置的接收用天线线圈(20)，将功率以非接触方式从上述供电装置(1)供给上述半导体器件(2)，该方法中，调整上述供电装置(1)和上述半导体器件(2)之间的电磁耦合特性，上述供电装置(1)还包括串联连接上述供电用天线线圈(14)的第一调整用阻抗元件(12)和并联连接于上述供电用天线线圈(14)的第二调整用阻抗元件(13)，其特征在于包括如下步骤：决定上述第一调整用阻抗元件(12)和第二调整用阻抗元件(13)的阻抗，以使得作为从上述供电用天线线圈(14)到上述接收用天线线圈(20)的距离的供电距离为大于0的规定值时，上述半导体器件(2)接受的接收功率最大。
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