[发明专利]电介体膜及其形成方法，使用其的半导体装置及制造方法无效
| 申请号： | 200310114364.4 | 申请日： | 2003-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1505116A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 后藤真志;中田行彦;东和文;冈本哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/285;C23C16/30;C23C16/513 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即便在低温环境下也可形成改善了品质的电介体膜及其形成方法、以及使用电介体膜的半导体装置及其制造方法。利用稀有气体稀释或提高电源频率等方法，而产生高电子密度等离子体(plasma)，借由产生高密度氧原子或氮原子而形成高品质电介体膜。电介体膜形成在基板的至少其中一部份上，且含有：硅与氧组成比为(1∶1.94)至(1∶2)的氧化硅、硅与氮组成比为(3∶3.84)至(3∶4)的氮化硅、或者含有硅与氧组成比为(1∶1.94)至(1∶2)的氧化硅或硅与氮组成比为(3∶3.84)至(3∶4)的氮化硅的氮氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 电介体膜 及其 形成 方法 使用 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电介体膜，其特征在于，在玻璃基板或塑料基板上的至少其中一部份，直接或间接形成的电介体膜，此电介体膜至少在膜厚方向的其中一部份，含有硅与氧组成比为(1∶1.94)至(1∶2)的氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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