[发明专利]氢氧化镉单晶纳米线的合成方法无效
申请号: | 200310114418.7 | 申请日: | 2003-12-10 |
公开(公告)号: | CN1546382A | 公开(公告)日: | 2004-11-17 |
发明(设计)人: | 唐波;禚林海;葛介超 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | C01G11/00 | 分类号: | C01G11/00 |
代理公司: | 济南三达专利事务所 | 代理人: | 李健康 |
地址: | 250014山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供氢氧化镉单晶纳米线的合成方法,该方法按如下步骤进行:a.先将可溶性镉盐溶解在去离子水中,再缓慢加入碱或者氨水溶液中至pH值为10~14,搅拌下生成白色Cd(OH)2沉淀;b.将白色Cd(OH)2沉淀离心洗涤至pH值为中性;c.将洗涤后的白色Cd(OH)2沉淀重新分散在去离子水中,加入适量无机盐;d.放入密闭容器中于200℃~250℃下水热反应10~15小时,得氢氧化镉单晶纳米线。所述的可溶性镉盐优选氯化镉和硝酸镉;所述的碱优选氢氧化钾和氢氧化钠。所述的无机盐作为矿化剂可选用氯化钾、氯化钠、硝酸钾、硫酸钾、硝酸钠、硫酸钠中的任一种或者几种的混合物。 | ||
搜索关键词: | 氢氧化 镉单晶 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】:
1、氢氧化镉单晶纳米线的合成方法,其特征在于该方法按如下步骤进行:a、先将可溶性镉盐溶解在去离子水中,再缓慢加入碱或者氨水溶液至pH值为10~14,搅拌下生成白色Cd(OH)2沉淀;然后b、将白色Cd(OH)2沉淀离心洗涤至pH值为中性;然后c、将洗涤后的白色Cd(OH)2沉淀重新分散在去离子水中,加入适量无机盐,然后d、放入密闭容器中于200~250℃下水热反应10~15小时,得氢氧化镉单晶纳米线。
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