[发明专利]高速逆离散余弦变换方法和装置无效
| 申请号： | 200310114784.2 | 申请日： | 2003-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1520186A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 车尚昌;安钟学 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N7/30 | 分类号： | H04N7/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种高速逆离散余弦变换的方法和装置。当具有除0以外值的元素的总数不大于一预定临界值时，以预定的顺序从离散余弦变换(DCT)矩阵的所有元素中，查找具有除0以外值的元素。对具有除0以外值的元素执行二维(2D)IDCT。当具有除0以外值的元素的总数大于所述预定临界值时，对DCT矩阵执行2D IDCT。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 离散 余弦 变换 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高速逆离散余弦变换(IDCT)的方法，包括：(a)当具有除0以外值的元素的总数不大于一个预定临界值时，以预定的顺序从离散余弦变换(DCT)矩阵的所有元素中查找具有除0以外值的元素；(b)对在(a)中查找到的具有除0以外值的元素执行二维(2D)IDCT；和(c)当具有除0以外值的元素的总数大于所述预定临界值时，对DCT矩阵执行2D IDCT。
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