[发明专利]块体波共振器之音声反射器有效
| 申请号： | 200310114828.1 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1521945A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | S·马克斯泰恩纳;G·法廷格;R·阿格纳;J·凯蒂拉 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/64;H01L41/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;陈霁 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 块体波共振器，包括压电层有第一表面及相对于第一表面之一第二表面，第一电极设于压电层第一表面上，第二电极设于压电层第二表面上，基板，及音声反射器设于基板与第二电极之间，音声反射器包括从有高音声阻抗之材料及有低音声阻抗之材料制成之复数层，其中含有有高音声阻抗材料之层的区域与含有有低音声阻抗材料之层的区域被交替相邻设置。音声反射器之一性能由存在于块体波共振器中之一纵波在块体波共振器之共振频率之反射率以及存在于块体波共振器中之一剪切波在块体波共振器之共振频率之反射率所决定。音声反射器层及位于音声反射器及压电层之间的层参照其数目，材料及厚度被选择，在共振频率之区域中之纵波的透射率及剪切波的透射率小于－10dB。 | ||
| 搜索关键词： | 块体 共振器 反射 | ||
【主权项】：
1.一种BAW共振器(100)，具有一压电层(102)，具有一第一表面及相对于该第一表面之一第二表面；一第一电极(104)设置于该压电层(102)之该第一表面上；一第二电极(106)设置于该压电层(102)之该第二表面上；一基板(108)；以及一音声反射器(110)设置于该基板(108)与该第二电极(106)之间，该音声反射器(110)包括从具有高音声阻抗之材料以及具有低音声阻抗之材料制成之复数层，其中含有具有高音声阻抗材料之层的区域与含有具有低音声阻抗材料之层的区域被交替相邻设置，其中该音声反射器(110)之性能系由存在于BAW共振器(100)中之一纵波(110)在该BAW共振器(100)之共振频率之反射率以及存在于BAW共振器(100)中之一剪切波(212)在该BAW共振器(100)之共振频率之反射率所决定，以及其中该音声反射器(110)之层及位于该音声反射器(110)及该压电层(102)之间的层(106a，106b)参照它们的数目，材料以及厚度而被选择，因此在共振频率之区域中之该纵波的透射率及该剪切波的透射率小于-10dB。
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