[发明专利]存储器宏及半导体集成电路无效
申请号: | 200310114832.8 | 申请日: | 2003-11-07 |
公开(公告)号: | CN1499638A | 公开(公告)日: | 2004-05-26 |
发明(设计)人: | 寺田裕;赤松宽范 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L23/52;G11C11/413 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;王忠忠 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于:提供能够减少在高位层次中的布线的占有面积的存储器宏及半导体集成电路而又不损害其通用性。为此,设置存储器阵列部、成为存储器阵列部的接口的连接电路、以及连接存储器阵列部与连接电路的信号布线。在存储器阵列部上部设置由第1及第2布线层构成的网状布线。连接电路用由第2布线层构成的中间布线连接到由设置在存储器阵列部、连接电路或者信号布线的上部的第3布线层构成的多条信号线上。设置中间布线的区域被配置在存储器阵列部或者信号布线的上部,而且,在设置中间布线的区域不存在由第2布线层构成的网状布线。 | ||
搜索关键词: | 存储器 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种存储器宏,其特征在于:具备:存储器阵列部、成为上述存储器阵列部的接口的接口电路、以及连接上述存储器阵列部和上述接口电路的布线区域,在上述存储器阵列部上部,设置由第1及第2布线层构成的网状的电源布线,上述接口电路用由上述第2布线层构成的中间布线连接到由设置在上述存储器阵列部、上述接口电路或者上述布线区域的上部的第3布线层构成的多条信号线上,设置上述中间布线的区域包含上述存储器阵列部或者上述布线区域的上部,而且,在设置上述中间布线的区域,不存在由上述第2布线层构成的网状的电源布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的