[发明专利]电压提升电路及静态随机存取存储器、半导体装置有效
| 申请号： | 200310114856.3 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1499529A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/41 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨;郭凤麟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电压提升电路及包括该电压提升电路的静态随机存取存储器、半导体装置，该静态随机存取存储器包括：存储阵列，多个字符线，多个互补位线，多个存储单元，以及多个电压提升电路，对应于多个字符线，每一电压提升电路具有一电压输出端，耦接于对应的字符线的多个存储单元的电压端，并且具有一选择端，用以接收字符译码信号，其中当字符译码信号致能时，电压输出端提供的电压接近一高电压，当字符译码信号非致能时，电压输出端提供的电压接近一低电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 提升 电路 静态 随机存取存储器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电压提升电路，用以提供存储单元逻辑状态所需要的电压，其特征在于包括：一第一反相器，由一第一电压源提供工作所需要的电压，其输入端接收一字符译码信号；一第二反相器，由上述第一电压源提供工作所需要的电压，其输入端耦接上述第一反相器的输出端；一第一P型金属氧化物半导体晶体管，其源极耦接于一第二电压源，其栅极耦接上述第一反相器的输入端；一第二P型金属氧化物半导体晶体管，其耦接于上述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和上述第二反相器的输出端之间，其栅极耦接于上述第一反相器的输出端；其中，上述第一电压源的电位大于上述第二电压源的电位，当上述字符译码信号致能时，上述第二P型金属氧化物半导体晶体管导通，使上述第一电压源提供电压给上述存储单元；当上述字符译码信号非致能时，上述第一P型金属氧化物半导体晶体管导通，使上述第二电压源提供电压给上述存储单元。
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