[发明专利]形成接触孔的改进方法有效
| 申请号： | 200310114865.2 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1614747A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧;陈逸男 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成接触孔的改进方法。本发明的方法包含如下步骤：提供一基底；根据需要在该基底上形成多个适当的工作层；在这些工作层中的最上面一层上形成一多晶硅层；在所述多晶硅层上形成一抗反射层；在所述抗反射层上形成光致抗蚀剂层以界定接触孔形成的位置；移除所述抗反射层中未被光致抗蚀剂覆盖的部分；移除所述光致抗蚀剂层；移除所述多晶硅层中未被剩下的抗反射层覆盖的部份；以及以剩下的多晶硅层作为掩膜进行蚀刻以形成接触孔。移除部分多晶硅层的步骤包含部分地移除多晶硅层中未被剩下的抗反射层覆盖的部分以形成凹陷；移除抗反射层；以及打开多晶硅层的凹陷部分以形成开口。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接触 改进 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔形成方法，其包括如下步骤：提供一基底；根据需要在所述基底上形成多个适当的工作层；在这些工作层中的最上面一层上形成一导电层；在所述导电层上形成一抗反射层；在所述抗反射层上形成光致抗蚀剂层以界定接触孔形成的位置；移除所述抗反射层中未被光致抗蚀剂覆盖的部分；移除所述光致抗蚀剂；移除所述导电层中未被剩下的抗反射层所覆盖的部份；和以剩下的所述导电层作为掩膜进行蚀刻以形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
