[发明专利]用以避免条纹现象的蚀刻方法无效
| 申请号： | 200310114867.1 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1614750A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李秀春;黄则尧;陈逸男 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/76 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置的蚀刻方法。本发明方法包含步骤有：提供一基底；于基底上形成若干工作层；于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置；蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口；于开口侧壁形成一间隔层；以及蚀刻基底对应开口之部分，以形成一浅沟槽。通过本发明之蚀刻方法，可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 避免 条纹 现象 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的蚀刻方法，包含以下步骤：提供一基底；于该基底上形成若干工作层；于该工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置；蚀刻移除所述工作层未被该光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口；于该开口侧壁形成一间隔层；以及蚀刻基底对应该开口之部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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