[发明专利]具有半导体薄膜的半导体装置有效

专利信息
申请号: 200310114872.2 申请日: 2003-11-11
公开(公告)号: CN1501187A 公开(公告)日: 2004-06-02
发明(设计)人: 荻原光彦;藤原博之;佐久田昌明;安孙子一松 申请(专利权)人: 冲数据株式会社
主分类号: G03G15/00 分类号: G03G15/00;H01L23/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;梁永
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体装置包括具有至少一个端子的衬底、包括至少一个半导体器件的半导体薄膜,半导体薄膜被布置并接合在衬底上,以及作为导电薄膜形成的从半导体薄膜内的半导体器件延伸至衬底上的端子的单独互连线,将半导体器件电连接到该端子。和常规的半导体装置相比,本发明的装置较小且减少了材料成本。
搜索关键词: 具有 半导体 薄膜 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置(100),包括:衬底(101),其具有至少一个端子(107a);包括至少一个半导体器件(105)的半导体薄膜(104),该半导体薄膜(104)被布置并接合在衬底(101)上;和作为导电薄膜形成的单独互连线(106),其从半导体薄膜(104)内的半导体器件(105)延伸至衬底(101)内的端子(107a),电连接半导体器件(105)至端子(107a)。
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