[发明专利]叠层型光电元件无效
| 申请号： | 200310114917.6 | 申请日： | 2003-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1501513A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杉山秀一郎;盐崎笃志;高井康好;都筑英寿 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/078 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种叠层型光电元件，由在基体上层叠多个具有pin结的光电元件而成，上述pin结是由用以IV族元素为主成分的非单晶构成的p型半导体层、i型半导体、n型半导体层形成的，其特征在于：从光入射侧算起，第一i型半导体层由氢化非晶态硅构成，第二以后的i型半导体层由氢化非晶态硅或微晶硅构成；设用第二以后的pin元件中的i型半导体层是微晶硅的pin元件制作pin光电单元件时的开路端电压为Voc，该i型半导体层的膜厚为t，则通过包含Voc/t的值最大的i型半导体层的pin元件对叠层型光电元件的短路光电流密度进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层型 光电 元件 | ||
【主权项】：
1.一种叠层型光电元件，由在基体上层叠多个具有pin结的光电元件而成，上述pin结是由分别用以IV族元素为主成分的非单晶构成的p型半导体层、i型半导体、n型半导体层形成的，其特征在于：从光入射侧算起，第一i型半导体层由氢化非晶态硅构成，第二以后的i型半导体层由氢化非晶态硅或微晶硅构成；设用第二以后的pin元件中的i型半导体层是微晶硅的pin元件制作pin光电单元件时的开路端电压为Voc，该i型半导体层的膜厚为t，则通过包含Voc/t的值最大的i型半导体层的pin元件对叠层型光电元件的短路光电流密度进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
