[发明专利]通过被钉扎磁性层的等离子体平滑增强的GMR磁头信号无效
| 申请号： | 200310114925.0 | 申请日： | 2003-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1504994A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李文扬;林灿;丹尼尔·莫里;亚历山大·迈克尔·泽尔特瑟 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本申请涉及通过被钉扎磁性层的等离子体平滑增强的GMR磁头信号。具体地，一种具有含传感器叠层的自旋阀传感器的磁头，所述叠层包括被钉扎磁性层、形成在被钉扎磁性层上的隔离层以及形成在隔离层上的自由磁性层。在优选的实施例中，隔离层由CuOx组成。在淀积隔离层之前进行被钉扎磁性层上表面的等离子体平滑，优选的等离子体气体为氩气和氧气的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 被钉扎 磁性 等离子体 平滑 增强 gmr 磁头 信号 | ||
【主权项】：
1.一种包括自旋阈传感器的磁头，包括：被钉扎磁性层、形成在所述被钉扎磁性层上的隔离层以及形成在所述隔离层上的自由磁性层；其中所述被钉扎磁性层形成有由氩气加氧气等离子体平滑的上表面，所述隔离层设置在所述被钉扎磁性层的所述平滑的上表面上。
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