[发明专利]静磁场发生装置和磁共振成像装置无效
| 申请号： | 200310114962.1 | 申请日： | 2003-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1500441A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 渡边毅 | 申请（专利权）人： | GE医药系统环球科技公司 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055;G01R33/383 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 为了提供一种允许静磁场的轻易修正的使用永磁体的静磁场发生装置，由沟槽(310和320)表示的八个沟槽被设置在柱磁轭(12)和其它对应的柱磁轭内，并在装配插入件(312和322)时，改变插入件(312和322)的形状或材料，来调节柱磁轭(12)和其它对应的柱磁轭的磁阻；从而，可以简便地调节在永磁体(30和31)之间的空间内形成的磁通量，并由此，可以简便地修正静磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 发生 装置 磁共振 成像 | ||
【主权项】：
1.一种静磁场发生装置，包括：一对永磁体，它们跨过其中放置测试对象的空间相对地设置；一对底磁轭，用于支撑所述永磁体；以及柱磁轭，用于磁连接所述底磁轭并在结构上支撑它们，所述柱磁轭具有磁阻调节装置。
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