[发明专利]低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体及其制备方法

摘要

本发明涉及低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体及其制备方法，本发明介电陶瓷材料和铁氧体材料的基本组分及其制备方法，详见说明书。本发明的优点是制备工艺简便，低温烧结，无分层开裂，无翘曲变形。具有良好结合界面的PNN基陶瓷和NiZnCu铁氧体叠层共烧体，减少了氧化铅的挥发，减轻了对环境的污染，降低成本。本发明产品用于制作EMI片式多层LC滤波器，以及其它复合型片式电子元器件。

主权项

1、低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体，其特征在于：介电材料的基本组分为：其中：0.05≤x₁≤0.20 0≤y₁≤0.40 0.005≤q₁≤0.010＜q₂≤0.010.01＜q₃≤0.04 0＜q₄≤0.010≤q₅≤0.01铁氧体材料的基本组分为：其中：0.50≤x₂≤0.90 0.05≤y₂≤0.400.05≤z≤0.30 1.80≤u≤2.200.005≤q₆≤0.050＜q₇≤0.040≤q₈≤0.04其中，系数q₁，q₂，q₃，q₄，q₅，q₆，q₇，q₈均为摩尔％。