[发明专利]用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体无效
| 申请号： | 200310115258.8 | 申请日： | 2003-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1622409A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 涂朝阳;吴柏昌;李坚富;朱昭捷;王燕;游振宇;黄燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01L33/00;H01L21/36;C30B19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明阐述用液相外延法生长ZnO蓝紫光半导体。首先选择含有P2O5助熔剂的生长体系，采用熔盐法生长出掺杂有P5+离子的ZnO－p型半导体单晶；然后选择含有Al2O3助熔剂的生长体系，采用液相外延法，在ZnO－p型半导体单晶表面生长出掺杂有Al3+离子的ZnO－n型半导体单晶，通过晶体器件加工，可以制备出具有p－n结的ZnO蓝紫光半导体器件。采用此法生长的ZnO蓝紫光半导体单晶，具有低缺陷、高完整性的优点，且生长装备简单，费用便宜。 | ||
| 搜索关键词： | 用液相 外延 生长 氧化锌 紫光 半导体 | ||
【主权项】：
1.用液相外延法生长ZnO蓝紫光半导体，该方法包括ZnO-n型半导体单晶的生长和ZnO-p型半导体单晶的生长及晶体加工三部分，其特征为：(1)采用熔盐法生长ZnO-n型半导体单晶；(2)采用液相外延法生长ZnO-p型半导体单晶；(3)加工晶体，使得p-n结两端的ZnO-p型半导体单晶和ZnO-n型半导体单晶尺寸相等，在垂直于p-n结的两个端面抛光，即可制备出具有p-n结的ZnO蓝紫光半导体器件。
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