[发明专利]原版、曝光监测方法、曝光方法和半导体器件的制造方法

摘要

本发明的目的是提供监测多重曝光过程中的实效性的曝光量的原版、曝光监测方法、曝光方法和半导体器件的制造方法。该原版具备第1掩模部和第2掩模部。第1掩模部，具有：配置在设置在第1遮光部(16)上的第1窗口部(11a)内的，光透过率朝向1个方向地增加的第1曝光监测图案(6)，和配置在设置在第1遮光部(16)上的第2窗口部(11b)内的，光透过率朝向上述1个方向的反方向地增加的第2曝光监测图案(7)；以及，第2掩模部，具有：在与上述第1掩模部(14a)对准时，配置在设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上的第3窗口部(12a)内的，使透过率朝向上述1个方向地增加的第3曝光监测图案(8)，和设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上且配置在第4窗口部(12b)内的，光透过率朝向反方向地增加的第4曝光监测图案(9)。

主权项

1.一种原版，其特征在于：具备：第1掩模部，具有：第1遮光部、配置在设置在上述第1遮光部上的第1窗口部内的，光透过率朝向1个方向地增加的第1曝光监测图案，和配置在设置在上述第1遮光部上的第2窗口部内的，光透过率朝向上述1个方向的反方向地增加的第2曝光监测图案，第2掩模部，具有：第2遮光部，在与上述第1掩模部对准时，配置在设置在与上述第1遮光部对应的位置的第2遮光部上的第3窗口部内的，使透过率朝向上述1个方向地增加的第3曝光监测图案，以及，设置在与上述第1遮光部对应的位置的上述第2遮光部上且配置在第4窗口部内的，使光透过率朝向上述反方向地增加的第4曝光监测图案。