[发明专利]硅外延层的形成方法

摘要

在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序。在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。

主权项

1、一种在处理室内、在被处理基板的半导体基底上形成硅外延层的方法，包括：在容纳上述被处理基板的上述处理室内进行减压的减压工序，在上述减压工序之后，在上述处理室内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用上述第1预处理气体处理上述处理室内环境的氯化氢处理工序，在上述氯化氢处理工序中，上述处理室内环境温度设定为500～800℃，并且压力设定为第1减压压力，上述减压工序后，在上述处理室内导入含有氢气的第2预处理气体，利用上述第2预处理气体处理上述半导体基底层的表面的氢气热处理工序，在上述氢气热处理工序中，上述处理室内环境温度设定为高于800℃，并且压力设定为第2减压压力，上述氯化氢处理工序及上述氢气热处理工序后，在上述处理室内导入含有硅烷气体的成膜气体，在上述半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，在上述气相生长工序中将上述处理室内环境温度设定为成膜温度、并且将压力设定为减压压力。