[发明专利]焊锡凸块的形成方法有效
| 申请号： | 200310115768.5 | 申请日： | 2003-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1622287A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 詹忠荣;陈晋亿;许文政 | 申请（专利权）人： | 悠立半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种焊锡凸块的形成方法，包含：提供一基底，具有一金属层于一表面上；形成一图形化的罩幕层于上述金属层上，暴露部分上述金属层；以及以电镀法形成一银含量为1.6－3.0重量百分比(wt％)的焊锡(solder)凸块于暴露的上述金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 焊锡 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种焊锡凸块的形成方法，包含：提供一基底，具有一金属层于一表面上；形成一图形化的罩幕层于该金属层上，暴露部分该金属层；以及以电镀法形成一银含量为1.6-3.0重量百分比(wt％)的焊锡(solder)凸块于暴露的该金属层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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