[发明专利]深刻蚀平面电磁线圈及制作方法无效
| 申请号： | 200310115908.9 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1547226A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 张平;吴一辉;杨杰伟;王淑荣;郭占社 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F7/06;B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于微电机、微电磁传感器、执行器中平面电磁线圈的制作方法。利用光刻在Si片表面定义出线圈图形，再利用Si深刻蚀，按已定义出的线圈图形，在Si片表面刻蚀线圈槽和线圈引线通孔，在线圈槽内金属电铸得到金属结构，线圈槽内表面刻蚀的表面粗糙度将线圈镶嵌于线圈槽内。线圈包括：基底1、线圈槽2、线圈引线通孔3、绝缘层4、种子层5、金属线6、引线金属层7。在Si片表面刻蚀线圈形状深槽，线圈镶嵌深槽内，不易从槽内脱落，解决了线圈与基底粘附不牢问题。解决光刻胶与基板的粘结和负胶去胶难的问题。采用薄胶光刻工艺条件要求的宽容度大，易于实现和重复，有利于提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 深刻 平面 电磁 线圈 制作方法 | ||
【主权项】：
1、深刻蚀平面电磁线圈的作方法，其特征在于：利用普通光刻技术在Si片表面定义出线圈图形，再利用Si深刻蚀技术，按已定义出的线圈图形，在Si片表面刻蚀得到用于镶嵌线圈金属导线的线圈槽和线圈引线通孔，在线圈槽内进行金属电铸，得到线圈的金属结构，利用线圈槽内表面在刻蚀过程中所产生的表面粗糙度，将线圈牢固地镶嵌于线圈槽内。
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