[发明专利]离子/等离子体辅助蒸发方法制备碳锗合金膜无效
| 申请号： | 200310115963.8 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1554801A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 高劲松;王笑夷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王立伟 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明是用离子/等离子体辅助蒸发方法制备碳锗合金(GexC1－x)膜。以高纯锗作为蒸发材料，以含碳气体或含碳气体和氩气的混合气作为放电气体引入离子/等离子体源，使蒸发的锗原子与电离的碳离子发生反应，在基片上形成碳锗合金(GexC1－x)膜。本发明方法可得到折射率变化范围较宽，在中波红外(3～5μm)和长波红外(8～12μm)处低吸收的、粗糙度更小的碳锗合金(GexC1－x)膜。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 等离子体 辅助 蒸发 方法 制备 合金 | ||
【主权项】：
1、离子/等离子体辅助蒸发方法制备碳锗合金膜，将工件放置在真空室内工件架上，向真空室内通入气体，蒸发方式为电子束蒸发或热蒸发，其特征在于选择双面抛光的锗片作为基底；将含碳气体或含碳气体与氩气的混合气引入离子/等离子体源，离子/等离子源在10-2Pa的低压下工作，使含碳气体充分电离，分解出大量正碳离子，在电磁场作用下加速并充入真空室内；以高纯锗作为蒸发材料，蒸发出的锗原子与带有较高能量的正碳离子发生反应，在基底上沉积碳锗合金(GexC1-x)膜；通过调节气体流量和锗的蒸发速率，可以得到组分x不同的GexC1-x膜。
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