[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，其能够在形成下部电极时，避免由倾斜或提升现象造成的下部电极的短路，并藉由加宽有效电容器区域来保障电容器的足够多的电容。本发明的半导体装置包括：以整齐间距置放的多个电容器插塞；及用于电容器的多个下部电极，其以整齐间距置放，以分别与该些电容器插塞连接。

主权项

1.一种半导体装置，包括：多个电容器插塞，在预定间隔内形成并交插在两条位元线之间，且该些电容器插塞的中点位于X轴虚拟线与Y轴虚拟线的交点处，其中该些X轴虚拟线与该些位元线平行，而该些Y轴虚拟线与该些X轴虚拟线垂直；以及多个电容器下部电极，其在预定间隔内形成为分别与该些电容器插塞以一对一对应方式连接，其中，各下部电极在平面上均具有八边形形状或圆形形状。