[发明专利]静态随机存取存储单元结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200310116319.2 | 申请日： | 2003-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1619822A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李宗翰;李光璧;林文正;蓝仁宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储单元结构，至少是由基底、晶体管、上电极与电容介电层所构成。其中，在基底中设置有组件隔离结构，以定义出有源区，且此有源区中具有开口。晶体管设置于基底之有源区上，且晶体管之源极区与开口相连接。上电极设置于开口上，并填满开口。电容介电层设置于上电极与基底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取 存储 单元 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储单元结构，包括：一基底，该基底中设置有一组件隔离结构，以定义出一有源区，该有源区中具有一第一开口；一晶体管，设置于该基底之该有源区上，且该晶体管之一源极区与该开口相连接；一上电极，设置于该第一开口上，并填满该第一开口；以及一电容介电层，设置于该上电极与该基底之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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