[发明专利]可变电容元件及内置可变电容元件的集成电路无效
| 申请号： | 200310116350.6 | 申请日： | 2003-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1503454A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 平冈幸生;儿岛裕贵 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03L7/187 | 分类号： | H03L7/187;H03L7/099;H03B5/08;H03B5/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种可变电容元件，包括：埋入电极层(102)，在半导体衬底的上表面区域部分由导电型与半导体衬底不同的半导体层形成；布线层(114)，与在埋入电极层上方形成的埋入电极层的引出部连接；一对电容绝缘膜(105、110)，分别在埋入电极层的除引出部以外的区域部分之上形成，区域部分在一个平面上有相对且邻近的侧面；绝缘体层(108)，在一对电容绝缘膜的与上述邻近的侧面垂直的各外侧面相连接的区域形成；一对导电体层(104、109)，分别在各电容绝缘膜和各绝缘体层上形成；及布线层(107、112)，分别与绝缘体层上的一对导电体层的引出部连接。通过分别改变埋入电极层和一对导电体层之间的电压，可改变埋入电极层和一对导电体层之间的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 可变电容 元件 内置 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种可变电容元件，包括：埋入电极层，在半导体衬底的上表面区域部分由导电型与所述半导体衬底不同的半导体层形成；布线层，与在所述埋入电极层的上方形成的所述埋入电极层的引出部连接；一对电容绝缘膜，分别在所述埋入电极层的除所述引出部以外的区域部分之上形成，所述区域部分在一个平面上具有相对且邻近的侧面；绝缘体层，在所述一对电容绝缘膜的与上述邻近的侧面相垂直的各个外侧面相连接的区域形成；一对导电体层，分别在各自的电容绝缘膜和各自的绝缘体层上形成；及布线层，分别与所述绝缘体层上的所述一对导电体层的引出部连接；通过分别改变所述埋入电极层和所述一对导电体层之间的电压，可分别改变所述埋入电极层和所述一对导电体层之间的电容值。
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