[发明专利]光电阴极

摘要

本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。

主权项

1、一种光照射后会发射电子的光电阴极，其特征在于，包括：一个第一导电型的半导体衬底，所说半导体衬底具有一个第一表面和一个与第一表面相对的第二表面；一个构建在所述半导体衬底的第一表面之上的第一导电型的第一半导体层；一个构建在所述第一半导体层之上的第一导电型的第二半导体层；一个构建在所述第二半导体层之上的第二导电型的第三半导体层，所述的第三半导体层具有一个形状导致所述的第二半导体层的表面的一部分裸露；一个构建在所述第三半导体层之上的表面电极；一个构建在所述第二半导体层的表面裸露部分之上的活跃层，目的是降低所述第二半导体层的逸出功；和一个构建在所述半导体衬底的第二表面之上的背面电极；其中，所述第三半导体层相互面对的且将第二半导体层表面裸露部分夹在中间的部分之间的最小间距2L等于或者大于0.2μm，且等于或者小于2μm。