[发明专利]铜金属镶嵌工艺及其结构

摘要

本发明提供一种铜金属镶嵌工艺及其结构，其先在基材上依序形成介电层与蚀刻终止层后，再在介电层与蚀刻终止层中形成金属插塞。接着，在蚀刻终止层上形成另一介电层并在该介电层中加工出后续用来形成铜金属层的开口结构。随后，在开口中形成介电阻障层，并利用回蚀刻将开口底部的部分介电阻障去除，以暴露出金属插塞。之后，再在开口中形成铜金属层。上述工艺中在开口中加工暴露金属插塞的同时，是暴露出蚀刻终止层而非介电层。因此，此结构中的铜金属与金属插塞以及蚀刻终止层接触，而不会与介电层接触，所以可改善铜金属的扩散现象。

主权项

1、一种铜金属镶嵌工艺，其特征在于，其至少包括如下步骤：在一基材上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一沉积层；在该沉积层与该第一介电层中形成至少一金属插塞；形成一覆盖于该沉积层上的第二介电层；在该第二介电层中形成至少一个用来暴露该金属插塞的开口；形成一覆盖于该第二介电层上与该开口的表面的阻障层；去除部分的阻障层，以暴露该第二介电层的表面与位于该开口中的该金属插塞的表面；以及形成一铜金属层以填满该开口。