[发明专利]CMP辅助剥离制作微图案无效
| 申请号： | 200310116412.3 | 申请日： | 2003-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1505098A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 玛丽－克莱尔·西里尔;弗雷德里克·H·迪尔;黄成业（音译）;李觉龙（音译） | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种微电子器件的方法和结构，该微电子器件包括衬底上的第一薄膜、第一薄膜上的第一耐抛光层、第一耐抛光层上的第二薄膜、第二薄膜上的第二耐抛光层，其中第一个第二耐抛光层包含类金刚石碳。第一薄膜包括电阻材料，而第二薄膜包括低阻导电材料。第一薄膜为具体化为磁读传感器的电阻器。电阻材料对磁场敏感。此器件还包括第一与第二薄膜之间的通常垂直接合，和邻接电阻材料的介电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 辅助 剥离 制作 图案 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件，其包括：在衬底上的第一薄膜；在所述第一薄膜上的第一耐抛光层；在所述第一耐抛光层上的第二薄膜；在所述第二薄膜上的第二耐抛光层；和在所述第一与第二薄膜之间的通常垂直接合，其中所述第一和第二耐抛光层包含类金刚石碳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
