[发明专利]集成电路的布图设计装置、布图设计方法及布图设计程序有效
| 申请号： | 200310116415.7 | 申请日： | 2003-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1521833A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 岛村哲夫;鹿仓康弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在现有的布图设计方法中，为了生成元件单元而必须输入坐标数据，作业繁杂。本发明通过执行包含以下步骤来解决上述课题：取得规定电容元件的最大电容值CMAX和微调电容值C的参数的步骤(S10)及(S12)，根据规定最大电容值CMAX的参数来确定电容元件的基本结构，根据规定微调电容值C的参数来变更基本结构的电极的有效面积，进行电容元件布图的步骤(S14)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 设计 装置 方法 程序 | ||
【主权项】：
1.一种布图设计方法，用于进行电容元件的布图，其特征在于，该方法包括：取得规定电容元件的最大电容值和微调电容值的参数的步骤；以及根据规定所述最大电容值的参数来确定电容元件的基本结构，根据规定所述微调电容值的参数来变更所述基本结构的电极的有效面积，进行电容元件布图的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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