[发明专利]用于流体喷射装置的基片和形成基片的方法有效
| 申请号： | 200310116451.3 | 申请日： | 2003-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1517216A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | M·A·特鲁宁格;C·C·哈卢扎克;M·蒙罗 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/14 | 分类号： | B41J2/14;B41J2/16;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种穿过一个具有第一面(162)和与该第一面相对的第二面(164)的基片(160)形成一开口(150)的方法，该方法包括：在该基片的第一面内形成一个沟槽(166)，在该沟槽内形成一个掩模层(167)，在该掩模层内形成至少一个孔(168)，填充该沟槽和至少一个孔，从该基片的第二面朝向掩模层在基片内形成开口的第一部分(152)以及穿过该掩模层内的至少一个孔从基片的第二面朝向基片的第一面在基片内形成开口的第二部分(154)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 流体 喷射 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种穿过一个具有第一面(162)和与该第一面相对的第二面(164)的基片(160)形成一开口(150)的方法，该方法包括：在该基片的第一面内形成一个沟槽(166)；在该沟槽内形成一个掩模层(167)；在该掩模层内形成至少一个孔(168)；填充该沟槽和至少一个孔；从该基片的第二面朝向掩模层在基片内形成开口的第一部分(152)；以及穿过该掩模层内的至少一个孔从基片的第二面朝向基片的第一面在基片内形成开口的第二部分(154)。
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