[发明专利]用于同时形成硅上金属电容器的最佳透过注入无效
| 申请号： | 200310116475.9 | 申请日： | 2000-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1501512A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | D·D·科尔鲍;D·L·哈拉梅 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在硅基片中形成具有低电阻的、可接受的缺陷密度、可靠性和过程控制性的扩散区的方法，该方法包括：(a)使硅基片经受第一次离子注入以使硅基片内形成非晶化硅区；(b)使包含非晶化硅区的硅基片经受第二次离子注入，从而使所说的掺杂剂离子的注入峰值在非晶化硅区内；和(c)退火所说的硅基片，以使非晶化硅区重新晶体化，从而在硅基片内形成扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 同时 形成 金属 电容器 最佳 透过 注入 | ||
【主权项】：
1.一种MOS结构，包括在其中形成有扩散区的硅基片，所说的扩散区的电阻为50欧姆/sq.或更小，并且是距所说的硅基片的表面约500埃或更大的深度处形成的。
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