[发明专利]液晶显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200310116504.1 | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1504818A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 松下英和;加藤刚;土居悟史;前田明寿 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L21/336;H01L27/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;关兆辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体层以及由高融点金属膜和铝或铝合金构成的低阻金属膜的层叠金属膜上形成图形时，可在不增加工序的条件下改善铝或铝合金的耐腐蚀性。使铝(合金)与高融点金属的层叠膜图形24、25从蚀刻掩模的光致抗蚀剂51后缩，以该状态在铝(合金)膜的侧面形成保护膜38。这样一来，在蚀刻半导体层23以及沟道槽时，铝(合金)膜的侧面不易暴露在含氯气体、含氟气体的等离子之中，可抑制铝(合金)膜的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上构图形成半导体层以及高融点金属膜和低阻金属膜的层叠金属膜的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：在上述层叠金属膜上形成光致抗蚀剂图形的工序；将上述光致抗蚀剂作为掩模，对上述层叠金属膜进行侧面蚀刻，深入到上述光致抗蚀剂图形的内侧，形成上述层叠金属膜图形的工序；在上述低阻金属膜的外露部分上形成保护膜的工序；将上述光致抗蚀剂作为掩模，对上述半导体层的一部分或全部进行干蚀刻的工序；以及剥离去除上述光致抗蚀剂的工序。
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