[发明专利]用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法及系统有效
| 申请号： | 200310116505.6 | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1501176A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 上杉忠宣;木村茂 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它能够以协同方式执行蚀刻过程，同时控制叠层膜中各层膜的侧蚀刻以使得侧边形状均匀。在该湿蚀刻方法中，对顺序淀积于衬底上的包含薄膜特性各不相同的第一和第二膜的叠层膜组合执行两种或多种类型的蚀刻方法。这两种或多种类型的蚀刻方法至少包括：第一湿蚀刻方法，其中对第一膜的侧蚀刻比对第二膜的侧蚀刻更容易进行；和第二湿蚀刻方法，其中对第二膜的侧蚀刻比对第一膜的侧蚀刻更容易进行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 叠层膜 组合式 蚀刻 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它包括：以协同方式组合使用多种类型的湿蚀刻方法对顺序淀积在衬底上的包含薄膜特性各不相同的至少第一和第二膜的叠层膜进行湿蚀刻处理的步骤；其中，所述多种类型的湿蚀刻方法包括：第一湿蚀刻步骤，其中对第一膜的侧蚀刻比对第二膜的侧蚀刻更容易进行；第二湿蚀刻步骤，其中对第二膜的侧蚀刻比对第一膜的侧蚀刻更容易进行。
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