[发明专利]反应室处理的方法有效
| 申请号： | 200310116522.X | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1617294A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘俊良;张宏隆 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种反应室处理的方法，此方法是适用于处理反应室中的碳残留物与硅残留物。此方法包括于反应室中通入氧气，以于此反应室中进行氧气电浆处理制程，而使碳残留物与硅残留物分别生成二氧化碳气体与氧化硅。由于所生成的二氧化碳气体会排出反应室，且氧化硅会粘着于反应室的壁上，因此可以避免后续蚀刻制程遭受到碳残留物与硅残留物的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反应室处理的方法，该方法是适用于处理该反应室中的碳残留物与硅残留物，该方法包括：于该反应室中通入氧气，以于该反应室中进行氧气电浆处理制程，而使该碳残留物与该硅残留物分别生成二氧化碳气体与氧化硅，其中该二氧化碳气体排出该反应室，而该氧化硅会附着于该反应室的壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
